KRI 離子源應(yīng)用于車載AR-HUD 鍍膜

時間：2024-01-10作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：78

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  詞條說明

• 美國 KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 應(yīng)用

  上海伯東美國?KRi 霍爾離子源?EH 系列, 提供高電流低能量寬束型離子束, KRi?霍爾離子源可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用.?霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設(shè)計提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護(hù), 安裝于各類真空設(shè)備中, 例如 e-beam 電子束鍍膜機(jī), lo

• HVA 真空閥門應(yīng)用于E-Beam鍍膜機(jī)

  某?Sputtering + E-Beam PVD?鍍膜機(jī)系統(tǒng)采用?HVA?真空閥門?11000, HVA?真空閥門安裝在分子泵口便于泵的檢修,同時外系統(tǒng)停機(jī)時不破壞系統(tǒng)真空,?只要對泵內(nèi)部進(jìn)行破真空即可.HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?系列標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)規(guī)格:??閥門材質(zhì):&nb

• 美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機(jī)應(yīng)用

  上海伯東某客戶在熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)中配置美國?KRi 考夫曼離子源?KDC 40, 進(jìn)行鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等.離子源鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD考夫曼離子源 KDC 40 到基片距離控制在 3

• KRI 離子源應(yīng)用于車載AR-HUD 鍍膜

  ?HUD?已經(jīng)成為一種常見的汽車配置與功能,?通過它來直觀顯示速度、發(fā)動機(jī)轉(zhuǎn)速或其他懸停在駕駛員視野中的信息,?減少因低頭查看儀表盤而造成的分心,?提升駕駛.?目前量產(chǎn)的車用抬頭顯示?HUD?正在從風(fēng)擋型?W-HUD?逐漸向增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)型的?AR-HUD?發(fā)展：從單純的信息展示屏幕,