創芯未來鵬城半導體亮相*二屆碳基半導體材料與器件產業發展論壇

時間：2022-07-22

作者：鵬城半導體技術（深圳）有限公司

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創芯未來鵬城半導體亮相第四屆全球半導體產業博覽會（重慶）
6月帶著憧憬與期待，在重慶這片沃土上與我們相遇，未來，初心依舊。*四屆**半導體產業（重慶）博覽會（簡稱“GSIE 2022”），將于2022年6月29日-7月1日在重慶**博覽中心舉辦。鵬城半導體技術（深圳）有限公司（簡稱“鵬城半導體”）本次攜多功能磁控濺射儀解決方案、分子束外延薄膜生長設備（MBE）解決方案、熱絲CVD金剛石解決方案等多個解決方案亮相本次展會。一起來先讀為快吧。多功能磁控濺射儀
為您提供高性價比真空鍍膜設備解決方案《520愛情風暴來襲》
真空鍍膜設備的薄膜制作過程，簡單來說就是將一種材料(薄膜材料）轉移到另一種材料(基底)的表面，形成和基底牢固結合的薄膜的過程。所以，任何的真空鍍膜薄膜制作方法都包括:源蒸發、遷移和凝聚三個重要環節。多功能磁控濺射儀一、鍍膜蒸發源“源"的作用是提供鍍膜的材料（或被鍍材料中的某種組分)。通過物理或化學的方法使鍍膜材料成為氣態物質。熱絲CVD金剛石設備二、遷移過程遷移過程都是在氣相中進行的，在氣態物質遷
第十七屆全國MOCVD學術會議與您太原相見！
2022年8月15日-18日，2022十七屆全國MOCVD學術會議選擇在中國·太原·湖濱國*際大酒店舉行。金屬**化學氣相淀積（MOCVD）技術自二十世紀六十年代提出以來，取*得了飛速進步，已經廣泛應用于制備III族氮化物、III-V族化合物、碲化物、氧化物等重要半導體材料及其**結構，較*大地推動了光電子器件和微電子器件與芯片的發展及產業化，也成為半導體**晶格、**阱、**線、**點結構材料及相
新聞快訊-鵬城半導體MOCVD設備
材料的輸運采取了**純的氣路系統，源的切換和輸入采用了多路組合閥進氣技術。由于組合閥具有較小的死空間，使得源的殘留量非常少，有利于生長具有陡峭界面的材料。采用壓差控制技術控制組合閥的旁路和主路之間的壓力，大大降低了源的壓力和濃度波動，有利于材料生長的重復性和穩定性。采用了管道鑲嵌式進氣噴頭，使反應源在襯底表面均勻混合并反應，大大降低了預反應的發生。采用電阻式快速升降溫加熱爐。