芯片失效分析x-ray測(cè)試

時(shí)間：2020-03-28作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：134

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 芯片漏電分析手段被誤導(dǎo)了很多年

  一提到IC漏電定位大家都認(rèn)為只有OBIRCH，甚至現(xiàn)在可笑的是認(rèn)為OBIRCH是一種設(shè)備的名稱(chēng)。今天小編給大家普及一下這方面的知識(shí)。 OBIRCH其實(shí)只是一種技術(shù)，是早年日本NEC發(fā)明并申請(qǐng)了專(zhuān)li。它的原理是：給IC加上電壓，使其內(nèi)部有微小電流流過(guò)，同時(shí)在芯片表面用激光進(jìn)行掃描。 激光掃描的同時(shí)，對(duì)微小電流進(jìn)行監(jiān)測(cè)，當(dāng)激光掃到某個(gè)位置，電流發(fā)生較大變化，設(shè)備對(duì)這個(gè)點(diǎn)進(jìn)行標(biāo)記，也就是說(shuō)這個(gè)位置即為

• 晶柱成長(zhǎng)制程

  《晶柱成長(zhǎng)制程》 硅晶柱的長(zhǎng)成，首先需要將純度相當(dāng)高的硅礦放入熔爐中，并加入預(yù)先設(shè)定好的金屬物質(zhì)，使產(chǎn)生出來(lái)的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì)，接著需要將所有物質(zhì)融化后再長(zhǎng)成單晶的硅晶柱，以下將對(duì)所有晶柱長(zhǎng)成制程做介紹。 長(zhǎng)晶主要程序︰ 融化（MeltDown） 此過(guò)程是將置放于石英坩鍋內(nèi)的塊狀復(fù)晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中較重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應(yīng)，若使用較大的功率來(lái)

• 失效分析實(shí)驗(yàn)室選擇

  失效分析技術(shù)，失效分析實(shí)驗(yàn)室，失效機(jī)制是導(dǎo)致零件、元器件和材料失效的物理或化學(xué)過(guò)程。此過(guò)程的誘發(fā)因素有內(nèi)部的和外部的。在研究失效機(jī)制時(shí)，通常先從外部誘發(fā)因素和失效表現(xiàn)形式入手，進(jìn)而再研究較隱蔽的內(nèi)在因素。在研究批量性失效規(guī)律時(shí)，常用數(shù)理統(tǒng)計(jì)方法，構(gòu)成表示失效機(jī)制、失效方式或失效部位與失效頻度、失效百分比或失效經(jīng)濟(jì)損失之間關(guān)系的排列圖或帕雷托圖，以找出必須首先解決的主要失效機(jī)制、方位和部位。任一產(chǎn)品

• 白話芯片漏電定位方法科普

  白話芯片漏電定位方法科普 原創(chuàng) 儀準(zhǔn)科技 王福成 轉(zhuǎn)載請(qǐng)寫(xiě)明出處 芯片漏電是失效分析案例中較常見(jiàn)的，找到漏電位置是查明失效原因的前提，液晶漏電定位、EMMI（CCD\InGaAs）、激光誘導(dǎo)等手段是工程人員經(jīng)常采用的手段。多年來(lái)，在中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有個(gè)誤區(qū)，認(rèn)為激光誘導(dǎo)手段就是OBIRCH。今日小編為大家科普一下激光誘導(dǎo)（laser scan Microscope). 目前激光誘導(dǎo)功能在業(yè)內(nèi)普遍被采