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《晶柱成長制程》 硅晶柱的長成,首先需要將純度相當高的硅礦放入熔爐中,并加入預先設定好的金屬物質,使產生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質,接著需要將所有物質融化后再長成單晶的硅晶柱,以下將對所有晶柱長成制程做介紹。 長晶主要程序︰ 融化(MeltDown) 此過程是將置放于石英坩鍋內的塊狀復晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上,此階段中較重要的參數為坩鍋的位置與熱量的供應,若使用較大的功率來
PCB失效分析方法 該方法主要分為三個部分,將三個部分的方法融匯貫通,不僅能幫助我們在實際案例分析過程中能夠快速地解決失效問題,定位根因;還能根據我們建立的框架對新進工程師進行培訓,方便各部門借閱學習。 下面就分析思路及方法進行講解,首先是分析思路; 第一步:失效分析的“五大步驟” 失效分析的過程主要分為5個步驟:“①收集不良板信息→②失效現象確認→③失效原因分析→④失效根因驗證→⑤報告結論,改善
失效分析的作用 1、失效分析是要找出失效原因,采取有效措施,使同類失效事故不再重復發生,可避免較大的經濟損失和人員傷亡; 2、促進科學技術的發展 a. 19世紀工業革命,蒸汽機的使用促進鐵路運輸,但連續發生多起因火車軸斷裂,列車出軌事故。 b. 大量斷軸分析和試驗研究表明:裂紋均從輪座內緣尖角處開始。認識到:金屬在交變應力下,即使應力遠**金屬的抗拉強度,經一定循環積累,也會發生斷裂,即“疲勞”
半導體技術公益課 2020年4月18日(周六) 題 目: 芯片流片前的物理驗證 簡 介: 1.**部分drc; 2.*二部分lvs; 時 長: 10分鐘 主 講 人: Allen 產品工程師 時 間 : 11:00-11:10 題 目:芯片失效分析方法及流程 簡 介:失效分析方法; 失效分析流程; 失效分析案例; 失效分析實驗室介紹。 分享時長:45分鐘 主 講人:趙俊紅就職于科委檢測中心,集成電
公司名: 儀準科技(北京)有限公司
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