常用顯微鏡介紹

時(shí)間：2020-09-14作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：131

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• 詞條

  詞條說明

• 熱插拔帶來的EOS損壞

  熱插拔帶來的EOS損壞 \使用USB接口的產(chǎn)品，如果熱插拔設(shè)計(jì)存在問題的話，*帶來EOS破壞。 產(chǎn)品熱插拔的時(shí)候，可能會(huì)帶來瞬時(shí)的大電流，這種大電流，是一種震蕩波，首先，可能直接破壞芯片或器件，而是激發(fā)芯片產(chǎn)生大電流的latchup效應(yīng)，最后燒壞芯片或器件。 某產(chǎn)品試用時(shí)，插拔時(shí)頻頻出現(xiàn)損壞，經(jīng)過比對(duì)電性分析，發(fā)現(xiàn)電性明顯異常，進(jìn)行EMMI測(cè)試，發(fā)現(xiàn)芯片表面異常亮點(diǎn)，在顯微鏡下，發(fā)現(xiàn)鋁線燒損，判

• 電子元器件失效分析方法經(jīng)驗(yàn)

  失效分析常用方法匯總 芯片在設(shè)計(jì)生產(chǎn)使用各環(huán)節(jié)都有可能出現(xiàn)失效，失效分析伴隨芯片全流程。 這里根據(jù)北軟檢測(cè)失效分析實(shí)驗(yàn)室經(jīng)驗(yàn)，為大家總結(jié)了失效分析方法和分析流程，供大家參考。 一、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，屬于無損檢查: 檢測(cè)內(nèi)容包含： 1.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)顆粒、夾雜物、沉淀物 2.內(nèi)部裂紋 3.分層缺陷 4.空洞、氣泡、空隙等。 二、 X－Ray（X光檢測(cè)），屬于無損檢查: X-R

• 白話芯片漏電定位方法科普

  白話芯片漏電定位方法科普 原創(chuàng) 儀準(zhǔn)科技 王福成 轉(zhuǎn)載請(qǐng)寫明出處 芯片漏電是失效分析案例中較常見的，找到漏電位置是查明失效原因的前提，液晶漏電定位、EMMI（CCD\InGaAs）、激光誘導(dǎo)等手段是工程人員經(jīng)常采用的手段。多年來，在中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有個(gè)誤區(qū)，認(rèn)為激光誘導(dǎo)手段就是OBIRCH。今日小編為大家科普一下激光誘導(dǎo)（laser scan Microscope). 目前激光誘導(dǎo)功能在業(yè)內(nèi)普遍被采

• 芯片開封decap簡介及芯片開封在失效分析中應(yīng)用案例分析

  半導(dǎo)體元器件失效分析性測(cè)試?2024年07月08日 15:32?北京DECAP：即開封，業(yè)內(nèi)也稱開蓋，開帽。是指將完整封裝的IC做局部腐蝕，使得IC可以暴露出來 ，同時(shí)保持芯片功能的完整無損，為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備，方便觀察或做其他測(cè)試。通過芯片開封，我們可以為直觀的觀察到芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)，從而結(jié)合OM，X-RAY等設(shè)備分析判斷樣品的異常點(diǎn)位和失效的可能原因。開封方法及注意