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硅片切割一般有什么難點1、雜質線痕:由多晶硅錠內雜質引起,在切片過程中無法完全去除,導致硅片上產生相關線痕。2、劃傷線痕:由砂漿中的SIC大顆粒或砂漿結塊引起。切割過程中,SIC顆?!翱ā痹阡摼€與硅片之間,無法溢出,造成線痕。 表現形式:包括整條線痕和半截線痕,內凹,線痕發亮,較其它線痕較加窄細。 3、密布線痕(密集型線痕):由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機砂漿回路系統問題,造成硅片上出現密集線痕
北京華諾恒宇光能科技有限公司,成立于2002年,是專注于半導體、印制電路板、陶瓷電容、柔性線路板、LED微精密加工(納米級)、硅片切割的高科技公司,在精密切割、打孔、微孔加工領域占據一定的市場份額,系高精度制造加工系統的*。一、光纖激光劃片機激光器泵浦源采用進口新型半導體材料,大大提高電光轉換效率。替代*二代真正做到免維護。光束質量好。準基模(低階模),發散角小。全封閉光路設計,光釬傳輸,確保
硅片精密切割操作中會出現哪些問題硅片切割要求很高,而且切割機的技術水平非常優秀,才能制作出**的作品。硅片切割本身并不是一件容易的事情,其中會有問題。我們在操作中要注意。1、雜質線痕:由多晶硅錠內雜質引起,在切片過程中無法完全去除,導致硅片上產生相關線痕。2、劃傷線痕:由砂漿中的SIC大顆?;蛏皾{結塊引起。切割過程中,SIC顆粒“卡”在鋼線與硅片之間,無法溢出,造成線痕。表現形式:包括整條線痕和半
1. 零件結構 產品加工制造任務中,有一種電磁閥,在生產過程中遇到了按照傳統方法無法加工的深腔小孔難題——其深腔之深、小孔之小是以往沒有遇到的。該零件的加工難度非常大,如何保證加工質量讓我們頗費周折。 2. 加工難點分析 深腔小孔精度要求較高: 深腔為φ 16mm,深度達到了40mm;深腔內小孔為φ(0.5±0.02)mm,且小孔**部帶有凸臺形密封面,外圓φ 1mm,小孔直徑0.5mm、深度5m
公司名: 北京華諾恒宇光能科技有限公司
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