芯片失效分析方法：

時間：2019-11-21

作者：儀準科技（北京）有限公司

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聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標一、技術指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離
北軟失效分析實驗室參觀
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無損檢測科普
無損檢測分析工程檢查/無損檢測無損檢測是在不損壞工件或原材料工作狀態的前提下，對被檢驗部件的表面和內部質量進行檢查的一種測試手段。無損檢測方法常用的無損檢測方法有：X光射線探傷、超聲波探傷、磁粉探傷、滲透探傷、渦流探傷、γ射線探傷、螢光探傷、著色探傷等方法。無損檢測目地通過對產品內部缺陷進行檢測對產品從以下方面進行改進。 1、改進制造工藝； 2、降低制造成本； 3、提高產品的可靠性； 4
掃描電鏡SEM你了解嗎？
掃描電鏡SEM你了解嗎？掃描電子顯微鏡SEM應用范圍： 1、材料表面形貌分析，微區形貌觀察 2、各種材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析 3、各種薄膜樣品表面形貌觀察、薄膜粗糙度及膜厚分析掃描電子顯微鏡樣品制備比透射電鏡樣品制備簡單，不需要包埋和切片。樣品要求：樣品必須是固體；滿足無毒，無放射性，無污染，無磁，無水，成分穩定要求。制備原則：表面受到污染的試樣，要在不破壞試樣表面結構的