芯片測(cè)試前期準(zhǔn)備

時(shí)間：2020-03-20作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：146

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)

  湖北省集成電路產(chǎn)業(yè) 在國(guó)家大力推動(dòng)下，國(guó)內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)逐漸形成了以北京為核心的京津翼地區(qū)、以上海為核心的長(zhǎng)三角地區(qū)、以深圳為核心的珠三角地區(qū)、以四川、重慶、湖北、湖南、安徽等為核心的中西部地區(qū)四大產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)。 隨著新一輪集成電路發(fā)展熱潮涌現(xiàn)，除京滬等地繼續(xù)**外，中西部地區(qū)省市雖為*二梯隊(duì)，卻也因西安、成都、重慶、武漢、長(zhǎng)沙、合肥等集成電路重點(diǎn)城市，成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展較活躍的產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)，其中湖北憑借著國(guó)

• 失效分析技術(shù)總結(jié)

  1.外觀檢查 外觀檢查就是目測(cè)或利用一些簡(jiǎn)單儀器，如立體顯微鏡、金相顯微鏡甚至放大鏡等工具檢查PCB的外觀，尋找失效的部位和相關(guān)的物證，主要的作用就是失效定位和初步判斷PCB的失效模式。外觀檢查主要檢查PCB的污染、腐蝕、爆板的位置、電路布線以及失效的規(guī)律性、如是批次的或是個(gè)別，是不是總是集中在某個(gè)區(qū)域等等。另外，有許多PCB的失效是在組裝成PCBA后才發(fā)現(xiàn)，是不是組裝工藝過(guò)程以及過(guò)程所用材料的影

• 半導(dǎo)體芯片失效分析

  半導(dǎo)體芯片失效分析 芯片在設(shè)計(jì)生產(chǎn)使用各環(huán)節(jié)都有可能出現(xiàn)失效，失效分析伴隨芯片全流程。 這里根據(jù)北軟檢測(cè)失效分析實(shí)驗(yàn)室經(jīng)驗(yàn)，為大家總結(jié)了失效分析方法和分析流程，供大家參考。 一、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，屬于無(wú)損檢查: 檢測(cè)內(nèi)容包含： 1.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)顆粒、夾雜物、沉淀物 2.內(nèi)部裂紋 3.分層缺陷 4.空洞、氣泡、空隙等。 二、 X－Ray（X光檢測(cè)），屬于無(wú)損檢查: X-Ra

• 微量元素含量測(cè)試方法

  微量元素含量測(cè)試方法 近年來(lái)，元素含量測(cè)試儀器發(fā)展十分*，常見(jiàn)的測(cè)試儀器有原子反射光譜法（AES）、原子吸收光譜法（AAS）、X射線熒光光譜法（XRF）、電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜（ICP-AES）和質(zhì)譜（ICP-MS）等，由于各個(gè)儀器的技術(shù)方法存在局限性，如何對(duì)待測(cè)元素“量體裁衣”尤為重要。下面主要從元素含量測(cè)試儀器原理、適用范圍兩個(gè)方面作簡(jiǎn)要介紹。 1.原子發(fā)射光譜（AES） 原子發(fā)射光譜