微電子失效分析方法總結(jié)

時間：2020-03-23

作者：儀準科技（北京）有限公司

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詞條說明
芯片分析方法
1.OM 顯微鏡觀測，外觀分析 2.C-SAM（超聲波掃描顯微鏡）（1）材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)顆粒，夾雜物，沉淀物，（2）內(nèi)部裂紋。（3）分層缺陷。（4）空洞，氣泡，空隙等。 3. X－Ray 檢測IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接，開路、短路或不正常連接的缺陷，封裝中的錫球完整性。（這幾種是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性
雙束FIB設(shè)備介紹（二）
樣品托 · 標準多功能樣品托，以*特方式直接安裝到樣品臺上，可容納18個標準樣品托架（φ12mm）、3個預傾斜樣品托、 2個垂直和2個預傾斜側(cè)排托架*（38°和90°），樣品安裝 *工具 · 每個可選的側(cè)排托架可容納6個S/TEM銅網(wǎng) · 各種晶片和定制化樣品托可按要求提供* 系統(tǒng)控制 · 64位GUI（s 7）、鍵盤、光學鼠標 · 可同時激活多達4個視圖，分別顯示不同束圖像和/或信號，真彩信
FIB功能介紹
FIB - SEM雙束系統(tǒng)在微電子領(lǐng)域的應用隨著半導體電子器件及集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展，器件及電路結(jié)構(gòu)越來越復雜，這對微電子芯片工藝診斷、失效分析、微納加工的要求也越來越高。FIB - SEM雙束系統(tǒng)所具備的強大的精細加工和微觀分析功能，使其廣泛應用于微電子設(shè)計和制造領(lǐng)域。基本原理： FIB - SEM雙束系統(tǒng)是指同時具有聚焦離子束（Focused Ion Beam，F(xiàn)IB）和掃描電子顯微鏡（
微電子失效分析方法總結(jié)
微電子失效分析方法總結(jié) 失效分析趙工 1 、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，無損檢查:１.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)顆粒．夾雜物．沉淀物．2. 內(nèi)部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 2 、X－Ray（這兩者是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段），德國Fein 微焦點Xray用途：半導體BGA，線路板等內(nèi)部位移的分析；利于判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷. 參數(shù)：標準檢測分