失效分析原理

時(shí)間：2020-03-24作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：158

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• 詞條

  詞條說明

• 北軟失效分析實(shí)驗(yàn)室參觀

  畢業(yè)季臨近，一大批高校學(xué)子將 走出校園，踏入全新的科創(chuàng)生涯 特殊時(shí)期，困難攔不住研學(xué)實(shí)習(xí)的腳步 芯學(xué)院全新業(yè)務(wù)“企業(yè)認(rèn)知實(shí)習(xí)”正在進(jìn)行中 首站云端實(shí)習(xí)聯(lián)合北京工業(yè)大學(xué) 為莘莘學(xué)子提供線上實(shí)習(xí)寶貴機(jī)會 北京軟件產(chǎn)品質(zhì)量檢測檢驗(yàn)中心的參觀過程中，講解員首先向同學(xué)們介紹了兩臺高低溫實(shí)驗(yàn)箱和一臺激光開封機(jī)，然后在高潔凈空間實(shí)驗(yàn)室中依次介紹了探針臺、IV曲線測試儀、EMMI（微光顯微鏡）、芯片切割制樣設(shè)備、

• 晶柱成長制程

  《晶柱成長制程》 硅晶柱的長成，首先需要將純度相當(dāng)高的硅礦放入熔爐中，并加入預(yù)先設(shè)定好的金屬物質(zhì)，使產(chǎn)生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì)，接著需要將所有物質(zhì)融化后再長成單晶的硅晶柱，以下將對所有晶柱長成制程做介紹。 長晶主要程序︰ 融化（MeltDown） 此過程是將置放于石英坩鍋內(nèi)的塊狀復(fù)晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中較重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應(yīng)，若使用較大的功率來

• 失效分析FA常用工具介紹

  失效分析FA常用工具介紹；透射電鏡（TEM）；TEM一般被使用來分析樣品形貌（morholog；與TEM需要激發(fā)二次電子或者從樣品表面**的電子；然后用這種電子束轟擊樣品，有一部分電子能穿透樣品；對于晶體材料，樣品會引起入射電子束的衍射，會產(chǎn)生；對于TEM分析來說*為關(guān)鍵的一步就是制樣；集成電路封裝的可靠性在許多方面要取決于它們的機(jī)械；俄歇電子（AgerAna 失效分析常用工具介紹 透射電鏡（TE

• 白話芯片漏電定位方法科普

  白話芯片漏電定位方法科普 原創(chuàng) 儀準(zhǔn)科技 王福成 轉(zhuǎn)載請寫明出處 芯片漏電是失效分析案例中較常見的，找到漏電位置是查明失效原因的前提，液晶漏電定位、EMMI（CCD\InGaAs）、激光誘導(dǎo)等手段是工程人員經(jīng)常采用的手段。多年來，在中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有個(gè)誤區(qū)，認(rèn)為激光誘導(dǎo)手段就是OBIRCH。今日小編為大家科普一下激光誘導(dǎo)（laser scan Microscope). 目前激光誘導(dǎo)功能在業(yè)內(nèi)普遍被采